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BFQ131T/R

更新时间: 2024-09-15 21:19:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
TRANSISTOR Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP RF Small Signal

BFQ131T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.78最大集电极电流 (IC):0.15 A
基于收集器的最大容量:1.2 pF集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:1.9 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4000 MHzBase Number Matches:1

BFQ131T/R 数据手册

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