生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.78 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 基于收集器的最大容量: | 3.2 pF |
集电极-发射极最大电压: | 10 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 50 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 1000 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BFQ17 | NXP |
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NPN 1 GHz wideband transistor | |
BFQ17/T1 | ETC |
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TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND | |
BFQ17P | INFINEON |
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Transistor | |
BFQ17T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-89 | |
BFQ17TRL | YAGEO |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili | |
BFQ17TRL13 | YAGEO |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili | |
BFQ181 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20MA I(C) | MICRO-X | |
BFQ182 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 35MA I(C) | MICRO-X | |
BFQ18A | NXP |
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NPN 4 GHz wideband transistor | |
BFQ18A,115 | NXP |
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BFQ18A - NPN 4 GHz wideband transistor SOT-89 3-Pin |