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BFQ166TRL13

更新时间: 2024-11-05 21:03:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
TRANSISTOR Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFQ166TRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.78Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A基于收集器的最大容量:3.2 pF
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1000 MHz
Base Number Matches:1

BFQ166TRL13 数据手册

  

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