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BFQ19S-E6433

更新时间： 2024-11-06 14:48:03

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Transistor

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BFQ19S-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.075 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	4000 MHz	Base Number Matches：	1

BFQ19S-E6433 数据手册

BFQ19S

NPN Silicon RF Transistor*

• For low noise, low distortion broadband

amplifiers in antenna and

telecommunications systems up to 1.5 GHz

at collector currents from 10 mA to 70 mA

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

* Short term description

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFQ19S

Marking

Pin Configuration

2 = C 3 = E

Package

SOT89

1 = B

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

210

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 85°C

150

- ... -

-65 ... 150

°C

Junction temperature

Operation junction temperature range

Ambient temperature

Storage temperature

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 65

Unit

K/W

thJS

¹Pb-containing package may be available upon special request

²T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

³For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

2010-03-12

12 3 4 5 6

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BFQ19T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 75MA I(C) \| SOT-89
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