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BFQ19SH6359XTMA1

更新时间： 2025-03-22 03:12:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	547K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.21A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, TO-243, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BFQ19SH6359XTMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.66	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.21 A
基于收集器的最大容量：	1.35 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JEDEC-95代码：	TO-243	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz
Base Number Matches：	1

BFQ19SH6359XTMA1 数据手册

BFQ19S

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For low noise, low distortion broadband

amplifiers in antenna and

telecommunications systems up to 1.5 GHz

at collector currents from 10 mA to 70 mA

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualification report according to AEC-Q101 available

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFQ19S

Marking

Pin Configuration

2 = C 3 = E

Package

SOT89

1 = B

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

120

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 85°C

150

-65 ... 150

°C

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

Stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

Unit

K/W

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For the definition of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJS

2014-04-03

12 3 4 5 6 7

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