5秒后页面跳转
BFQ19SE6327 PDF预览

BFQ19SE6327

更新时间: 2024-09-28 19:38:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 538K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.075A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

BFQ19SE6327 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.3外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.075 A基于收集器的最大容量:1.5 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):5500 MHz
Base Number Matches:1

BFQ19SE6327 数据手册

 浏览型号BFQ19SE6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BFQ19SE6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFQ19SE6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFQ19SE6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFQ19SE6327的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BFQ19SE6327的Datasheet PDF文件第7页 
BFQ19S  
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor  
For low noise, low distortion broadband  
amplifiers in antenna and  
1
2
3
2
telecommunications systems up to 1.5 GHz  
at collector currents from 10 mA to 70 mA  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualification report according to AEC-Q101 available  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFQ19S  
Marking  
FG  
Pin Configuration  
2 = C 3 = E  
Package  
SOT89  
1 = B  
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
15  
20  
20  
3
120  
12  
1
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
W
I
C
Base current  
Total power dissipation  
I
B
1)  
P
tot  
T 85°C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
°C  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
J
T
A
T
Stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
2
For the definition of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJS  
2014-04-03  
1

与BFQ19SE6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFQ19SE6327BTSA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor,
BFQ19S-E6433 INFINEON

获取价格

Transistor
BFQ19SH6327XTSA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.21A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, TO-243, R
BFQ19SH6359XTMA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.21A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, TO-243, R
BFQ19SQ62702F1088 INFINEON

获取价格

TRANSISTOR R.F SOT89
BFQ19-T NXP

获取价格

TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, B
BFQ19T/R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 75MA I(C) | SOT-89
BFQ19TRL NXP

获取价格

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BFQ19TRL13 NXP

获取价格

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BFQ221 NXP

获取价格

NPN video transistor