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BFQ135

更新时间: 2024-11-04 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 82K
描述
NPN 6.5 GHz wideband transistor

BFQ135 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77Is Samacsys:N
其他特性:WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.15 A基于收集器的最大容量:1.2 pF
集电极-发射极最大电压:19 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):55最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRDB-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2.7 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):6500 MHzBase Number Matches:1

BFQ135 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFQ135  
NPN 6.5 GHz wideband transistor  
1997 Nov 07  
Product specification  
Supersedes data of September 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

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