5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.69 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP780 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
|
| BFP780_15 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
|
| BFP81 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
|
| BFP81 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from |
|
| BFP81_08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
|
| BFP81-GS08 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC P |
|
| BFP81-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC P |
|
| BFP840ESD | INFINEON |
获取价格 |
BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频带应用设计的异质结双极晶体管 (HBT)。 |
|
| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| BFP840FESD | INFINEON |
获取价格 |
BFP840FESD 是一款分立射频异质结双极晶体管 (HBT)，集成静电放电保护，适用于 |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
