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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.69 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP780 | INFINEON |
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200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP780_15 | INFINEON |
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200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP81 | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP81 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from |
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| BFP81_08 | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP81-GS08 | VISHAY |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC P |
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| BFP81-GS18 | VISHAY |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC P |
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| BFP840ESD | INFINEON |
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BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频带应用设计的异质结双极晶体管 (HBT)。 |
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BFP840FESD | INFINEON |
获取价格 |
BFP840FESD 是一款分立射频异质结双极晶体管 (HBT)，集成静电放电保护，适用于 |
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