BFP81

更新时间： 2024-01-08 11:53:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器晶体管
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7页	64K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from 0.5 mA to 20 mA.)

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BFP81 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	5800 MHz	Base Number Matches：	1

BFP81 数据手册

BFP 81

NPN Silicon RF Transistor

• For low-noise amplifiers up to 2GHz

at collector currents from 0.5 mA to 20 mA.

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFP 81

FAs

Q62702-F1611

1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

tot

≤

73 °C

280

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

≤ 275

K/W

thJS

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-11-1996

12 3 4 5 6 7

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