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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.12 A | 集电极-发射极最大电压： | 4 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM CARBON | 标称过渡频率 (fT)： | 41000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP760 | INFINEON |
获取价格 |
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
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| BFP760_15 | INFINEON |
获取价格 |
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
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| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BFP780 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP780_15 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP81 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
|
| BFP81 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from |
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| BFP81_08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP81-GS08 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC P |
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| BFP81-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC P |
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