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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 4 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM CARBON | 标称过渡频率 (fT)： | 41000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP750-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 120A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN |
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| BFP750-E6433 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 120A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN |
|
| BFP750H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.12A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carbo |
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| BFP760 | INFINEON |
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Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
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| BFP760_15 | INFINEON |
获取价格 |
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
|
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BFP780 | INFINEON |
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200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
|
| BFP780_15 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP81 | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP81 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from |
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