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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 4.2 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM CARBON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 43000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP720F | INFINEON |
获取价格 |
C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor |
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| BFP720FESD | INFINEON |
获取价格 |
Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor |
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| BFP720FH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carb |
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| BFP720H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carb |
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| BFP721 | ETC |
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BFP721 - Tranzystor krzemowy ma砮j mocy. wielk |
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| BFP722 | ETC |
获取价格 |
BFP722 - Tranzystor krzemowy ma砮j mocy. wielk |
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| BFP740 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFP740_09 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFP740E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BFP740E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
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