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BFP720FESD

更新时间: 2024-02-01 21:49:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
29页 1928K
描述
Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor

BFP720FESD 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.03 A
集电极-发射极最大电压:4.2 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160最高频带:X BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-F4湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.1 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP RF Small Signal表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON GERMANIUM CARBON标称过渡频率 (fT):45000 MHz
Base Number Matches:1

BFP720FESD 数据手册

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BFP720FESD  
Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor  
Data Sheet  
Revision 1.1, 2010-06-29  
RF & Protection Devices  

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