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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 10 weeks |
| 风险等级： | 1.58 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.4 pF | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 14000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP740H6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| BFP750 | INFINEON |
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High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor |
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| BFP750-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 120A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN |
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| BFP750-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 120A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN |
|
| BFP750H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.12A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carbo |
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| BFP760 | INFINEON |
获取价格 |
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
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| BFP760_15 | INFINEON |
获取价格 |
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
|
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| BFP780 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP780_15 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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