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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 4.1 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM CARBON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 46000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP640FESDE6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carbo |
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| BFP640FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carbo |
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| BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| BFP640H6327 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFP640H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| BFP640H6433 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| BFP650 | INFINEON |
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NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFP650_10 | INFINEON |
获取价格 |
High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor |
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| BFP650E6327 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFP650-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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