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BFP640_E_L6327

更新时间： 2024-01-12 08:01:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 281K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, SOT-343, 4 PIN

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BFP640_E_L6327 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.11其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
外壳连接：EMITTER最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：0.2 pF集电极-发射极最大电压：4 V
配置：SINGLE最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：40000 MHzBase Number Matches：1

BFP640_E_L6327 数据手册

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BFP640 E/L6327 and E/L7764  
NPN Silicon Germanium RF Transistor  
3
4
• High gain low noise RF transistor  
• Provides outstanding performance  
for a wide range of wireless applications  
2
• Ideal for CDMA and WLAN applications  
• Outstanding noise figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz  
Outstanding noise figure F = 1.3 dB at 6 GHz  
• High maximum stable gain  
VPS05605  
1
G
= 24 dB at 1.8 GHz  
ms  
• Gold metallization for extra high reliability  
• 70 GHz f -Silicon Germanium technology, L6327 and L7764 are early Pb-Free  
T
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFP640  
Marking  
R4s  
Pin Configuration  
1=B 2=E 3=C 4=E  
Package  
SOT343  
-
-
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
4
13  
13  
1.2  
50  
3
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
I
C
Base current  
Total power dissipation  
B
1)  
200  
P
tot  
T ≤ 90°C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
j
A
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 300  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
2
For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
Oct-30-2003  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFP640_E_L7764 INFINEON

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN,
BFP640E6327 INFINEON

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