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BFP540E6433

更新时间： 2024-01-29 03:18:56

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描述
Transistor

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BFP540E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	21000 MHz	Base Number Matches：	1

BFP540E6433 数据手册

BFP540

NPN Silicon RF Transistor

• For highest gain low noise amplifier

at 1.8 GHz

• Outstanding G = 21.5 dB

Noise Figure F = 0.9 dB

• Gold metallization for high reliability



• SIEGET 45 - Line

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFP540

Marking

ATs

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C 4=E

Package

SOT343

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

T > 0°C

T ≤ 0°C

CEO

4.5

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CES

CBO

EBO

°C

Base current

250

Total power dissipation

tot

T ≤ 77°C

150

-65 ... 150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

²T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

2009-12-04

12 3 4 5 6 7...10

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