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BFP620_E6327

更新时间： 2024-01-03 04:34:41
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 289K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, SOT-343, 4 PIN

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BFP620_E6327 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SOT-343, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：LOW NOISE外壳连接：EMITTER
最大集电极电流 (IC)：0.08 A基于收集器的最大容量：0.2 pF
集电极-发射极最大电压：2.3 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：110最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.185 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON GERMANIUM标称过渡频率 (fT)：65000 MHz
Base Number Matches：1

BFP620_E6327 数据手册

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BFP620_E6327  
NPN Silicon Germanium RF Transistor  
3
4
• High gain low noise RF transistor  
• Provides outstanding performance  
for a wide range of wireless applications  
2
• Ideal for CDMA and WLAN applications  
• Outstanding noise figure F = 0.7 dB at 1.8 GHz  
Outstanding noise figure F = 1.3 dB at 6 GHz  
• Maximum stable gain  
VPS05605  
1
G
G
= 21.5 dB at 1.8 GHz  
= 11 dB at 6 GHz  
ms  
ma  
• Gold metallization for extra high reliability  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BFP620_E6327  
ACs  
1=B  
2=E 3=C 4=E  
-
-
SOT343  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
2.3  
7.5  
7.5  
1.2  
80  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
I
C
3
185  
Base current  
Total power dissipation  
B
1)  
P
tot  
T ≤ 95°C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
j
A
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 300  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
2
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
Apr-22-2004  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFP620_E7764 INFINEON

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN, SOT-343,
BFP620E6327 INFINEON

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,2.3V V(BR)CEO,80MA I(C),SOT-343
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