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BFG19SE6327

更新时间: 2024-01-14 02:08:58
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英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 502K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

BFG19SE6327 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.23
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:1.4 pF集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):5500 MHz
Base Number Matches:1

BFG19SE6327 数据手册

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BFG19S  
NPN Silicon RF Transistor*  
For low noise, low distortion broadband  
amplifiers in antenna and telecommunication  
systems up to 1.5 GHz at collector currents  
from 10 mA to 70 mA  
4
3
2
1
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
* Short term description  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFG19S  
Marking  
BFG19S  
Pin Configuration  
1 = E 2 = B 3 = E 4 = C -  
Package  
SOT223  
-
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
15  
20  
20  
3
210  
21  
1
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
W
I
I
C
Base current  
B
2)  
Total power dissipation  
P
tot  
T 75°C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
°C  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
j
A
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
K/W  
3)  
R
thJS  
1Pb-containing package may be available upon special request  
2T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
3For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
2008-07-10  
1

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