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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.72 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最小功率增益 (Gp)： | 12 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BFG19SE6327 | INFINEON |
类似代替  |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| BFG35,115 | NXP |
功能相似 |
BFG35 - NPN 4 GHz wideband transistor SC-73 4-Pin |
|
| BFQ18A,115 | NXP |
功能相似 |
BFQ18A - NPN 4 GHz wideband transistor SOT-89 3-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFG135/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
|
| BFG135_15 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 7GHz wideband transistor |
|
| BFG135_2015 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 7GHz wideband transistor |
|
| BFG135A | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna |
|
| BFG135T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-223 |
|
| BFG135TRL | NXP |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BFG135TRL | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| BFG135TRL13 | NXP |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BFG135TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| BFG16 | NXP |
获取价格 |
NPN 2 GHz wideband transistor |
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