BFG194

更新时间： 2024-02-29 10:34:53

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描述
PNP Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications)

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BFG194 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.85	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	2 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

BFG194 数据手册

BFG 194

PNP Silicon RF Transistor

• For low distortion broadband amplifiers in

antenna and telecommunications systems up

to 1.5 GHz at collector currents from 20mA

to 80mA

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFG 194

BFG194 Q62702-F1321

1 = E 2 = B 3 = E 4 = C SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CBO

EBO

100

°C

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 75 °C

1000

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

thJS

≤ 75

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Aug-22-1996

12 3 4 5 6 7

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