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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 1.4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFG196-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| BFG197 | NXP |
获取价格 |
NPN 7 GHz wideband transistor |
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| BFG197 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| BFG197/X | NXP |
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NPN 7 GHz wideband transistor |
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| BFG197/XR | NXP |
获取价格 |
NPN 7 GHz wideband transistor |
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| BFG197/XR-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BFG197/XRTRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
|
| BFG197/X-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
|
| BFG197/XTRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
|
| BFG197/XTRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
|
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