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BFG197W-T

更新时间: 2024-09-29 03:14:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFG197W-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最高频带:C BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):7500 MHz

BFG197W-T 数据手册

  

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