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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.21 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 5500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3357 | RENESAS |
功能相似  |
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER |
|
| BFP540ESD | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFG235 | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFG19SE6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| BFG1N.24B8192-E2-F | IVO |
获取价格 |
Linear Position Encoder |
|
| BFG21W | NXP |
获取价格 |
UHF power transistor |
|
| BFG21W,115 | NXP |
获取价格 |
BFG21W - UHF power transistor |
|
| BFG21W_15 | JMNIC |
获取价格 |
UHF power transistor |
|
| BFG21W_2015 | JMNIC |
获取价格 |
UHF power transistor |
|
| BFG21WT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small |
|
| BFG235 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna |
|
| BFG235E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
|
| BFG235-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
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