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BFG21W

更新时间: 2024-01-08 02:13:14
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 120K
描述
UHF power transistor

BFG21W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.5 A基于收集器的最大容量:3 pF
集电极-发射极最大电压:4.5 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):18000 MHzBase Number Matches:1

BFG21W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
BFG21W  
UHF power transistor  
1998 Jul 06  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Nov 21  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

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