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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最小功率增益 (Gp)： | 15 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFG19S | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna) |
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| BFG19SE6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| BFG1N.24B8192-E2-F | IVO |
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Linear Position Encoder |
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| BFG21W | NXP |
获取价格 |
UHF power transistor |
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| BFG21W,115 | NXP |
获取价格 |
BFG21W - UHF power transistor |
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| BFG21W_15 | JMNIC |
获取价格 |
UHF power transistor |
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| BFG21W_2015 | JMNIC |
获取价格 |
UHF power transistor |
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| BFG21WT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small |
|
| BFG235 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna |
|
| BFG235E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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