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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7500 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFG197W-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BFG198 | NXP |
获取价格 |
NPN 8 GHz wideband transistor |
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| BFG198 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| BFG198 | UTC |
获取价格 |
NPN |
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| BFG198_15 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 8 GHz wideband transistor |
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| BFG198_2015 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 8 GHz wideband transistor |
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| BFG198T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223 |
|
| BFG198TRL | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| BFG198TRL13 | NXP |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BFG19S | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna) |
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