5秒后页面跳转
BFG197W PDF预览

BFG197W

更新时间: 2024-02-08 16:44:37
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFG197W 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.5 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

BFG197W 数据手册

  

与BFG197W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFG197W/X ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
BFG197W/XR NXP

获取价格

TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
BFG197W/XR-T NXP

获取价格

TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
BFG197W/X-T NXP

获取价格

TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
BFG197W-T NXP

获取价格

TRANSISTOR C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
BFG198 NXP

获取价格

NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198 YAGEO

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
BFG198 UTC

获取价格

NPN
BFG198_15 JMNIC

获取价格

NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198_2015 JMNIC

获取价格

NPN 8 GHz wideband transistor