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BFG135A

更新时间： 2024-02-20 08:24:30

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6页	53K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)

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BFG135A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最小功率增益 (Gp)：	12 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7500 MHz	Base Number Matches：	1

BFG135A 数据手册

BFG 135A

NPN Silicon RF Transistor

• For low-distortion broadband output amplifier

stages in antenna and telecommunications

systems up to 2 GHz at collector currents from

70mA to 130mA

• Power amplifiers for DECT and PCN systems

• Integrated emitter ballast resistor

• f = 6 GHz

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFG 135A BFG135A Q62702-F1322

1 = E 2 = B 3 = E 4 = C SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

150

°C

Base current

Total power dissipation

tot

≤

100 °C

1000

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction - soldering point

thJS

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-16-1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BFG135TRL	NXP	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BFG135TRL	YAGEO	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BFG135TRL13	NXP	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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