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BFG193E6327

更新时间: 2024-09-30 14:48:03
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英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 153K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

BFG193E6327 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.38Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.08 A
基于收集器的最大容量:0.9 pF集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.6 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8000 MHz
Base Number Matches:1

BFG193E6327 数据手册

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