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BFG17A

更新时间: 2024-01-08 17:46:25
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国巨 - YAGEO /
页数 文件大小 规格书
3页 96K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

BFG17A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.81外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.3 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2800 MHz

BFG17A 数据手册

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