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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-T12 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 12 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 310 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 170 ns | VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT75TA120P | ADPOW |
获取价格 |
Triple phase leg Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75TA120PG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75TA120PG-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Triple Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 75Silicon |
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| APTGT75TA60P | ADPOW |
获取价格 |
Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75TA60PG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75TDU120P | ADPOW |
获取价格 |
Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75TDU120PG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple Dual Common Source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75TDU120PG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 7 |
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| APTGT75TDU60P | ADPOW |
获取价格 |
Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75TDU60PG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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