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APTGT75TA60PG

更新时间： 2024-11-24 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 258K
描述
Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT75TA60PG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：21Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X21JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：6
端子数量：21最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：310 ns
标称接通时间 (ton)：170 nsBase Number Matches：1

APTGT75TA60PG 数据手册

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APTGT75TA60PG  
Triple phase leg  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
Application  
VBUS1  
G1  
VBUS2  
VBUS3  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
G3  
G5  
E1  
E3  
E5  
U
V
W
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
G2  
E2  
G4  
G6  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
E4  
E6  
0/VBUS1  
0/VBUS2  
0/VBUS3  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Very low (12mm) profile  
VBUS 1  
VBUS 2  
VBUS 3  
G1  
G3  
E3  
G5  
E5  
E1  
0/VBUS 1  
0/VBUS 2  
0/VBUS 3  
E2  
E4  
G4  
E6  
G2  
G6  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of three times the current capability  
Module can be configured as a three phase bridge  
Module can be configured as a boost followed by a  
full bridge  
U
V
W
•
•
•
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
TC = 25°C  
100  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
75  
140  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
±20  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
Maximum Power Dissipation  
250  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
150A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT75TA60PG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75TDU120P ADPOW

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 		Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module
APTGT75TDU120PG MICROSEMI

获取价格

 		Triple Dual Common Source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU120PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 7
APTGT75TDU60P ADPOW

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG MICROSEMI

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75
APTGT75TL60T3G MICROSEMI

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 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
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获取价格

 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silic
APTGT75X120BTP3 ADPOW

获取价格

 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120BTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MO

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