5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT75TA60PG
APTGT75TA60PG PDF预览

APTGT75TA60PG

更新时间： 2024-11-05 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 258K
描述
Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

APTGT75TA60PG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：21Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X21JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：6
端子数量：21最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：310 ns
标称接通时间 (ton)：170 nsBase Number Matches：1

APTGT75TA60PG 数据手册

 浏览型号APTGT75TA60PG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APTGT75TA60PG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APTGT75TA60PG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APTGT75TA60PG的Datasheet PDF文件第5页 
APTGT75TA60PG  
Triple phase leg  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
Application  
VBUS1  
G1  
VBUS2  
VBUS3  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
G3  
G5  
E1  
E3  
E5  
U
V
W
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
G2  
E2  
G4  
G6  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
E4  
E6  
0/VBUS1  
0/VBUS2  
0/VBUS3  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Very low (12mm) profile  
VBUS 1  
VBUS 2  
VBUS 3  
G1  
G3  
E3  
G5  
E5  
E1  
0/VBUS 1  
0/VBUS 2  
0/VBUS 3  
E2  
E4  
G4  
E6  
G2  
G6  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of three times the current capability  
Module can be configured as a three phase bridge  
Module can be configured as a boost followed by a  
full bridge  
U
V
W
•
•
•
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
TC = 25°C  
100  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
75  
140  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
±20  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
Maximum Power Dissipation  
250  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
150A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

中文翻译

下载PDF

与APTGT75TA60PG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75TDU120P ADPOW

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module
APTGT75TDU120PG MICROSEMI

获取价格

 		Triple Dual Common Source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU120PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 7
APTGT75TDU60P ADPOW

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG MICROSEMI

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75
APTGT75TL60T3G MICROSEMI

获取价格

 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TL60T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silic
APTGT75X120BTP3 ADPOW

获取价格

 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120BTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MO

与APTGT75TA60PG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证