Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT75TL60T3G

APTGT75TL60T3G

更新时间： 2024-11-05 08:33:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT75TL60T3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN	针数：	25
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.28	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X16
元件数量：	4	端子数量：	16
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	310 ns
标称接通时间 (ton)：	170 ns	VCEsat-Max：	1.9 V
Base Number Matches：	1

APTGT75TL60T3G 数据手册

APTGT75TL60T3G

Three level inverter

Trench + Field Stop IGBT

Power Module

V_CES= 600V

I_C= 75A @ Tc = 80°C

Application

•

Solar converter

Uninterruptible Power Supplies

Features

•

Trench + Field Stop IGBT Technology

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

Low leakage current

RBSOA and SCSOA rated

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

High level of integration

Internal thermistor for temperature monitoring

Benefits

28 27 26 25

23 22

20 19 18

•

Stable temperature behavior

Very rugged

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive TC of VCEsat

Low profile

RoHS Compliant

10 11

All multiple inputs and outputs must be shorted together

Example: 10/11/12 ; 7/8 …

Q1 to Q4 Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

600

100

140

±20

250

T_C= 25°C

T_C= 80°C

T_C= 25°C

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

T_C= 25°C

T_J= 150°C

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

150A @ 550V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

See application note APT0502 on www.microsemi.com

1 - 7

www.microsemi.com

12 3 4 5 6 7

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与APTGT75TL60T3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT75TL60T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silic
APTGT75X120BTP3	ADPOW	获取价格	Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120BTP3G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MO
APTGT75X120E3	ADPOW	获取价格	3 Phase bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120E3	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33
APTGT75X120E3G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33
APTGT75X120RTP3	ADPOW	获取价格	Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120RTP3G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, M
APTGT75X120TE3	ADPOW	获取价格	3 Phase bridge Trench IGBT Power Module
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