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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN | 针数： | 25 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 2.28 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X16 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 310 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 170 ns | VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT75TL60T3G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silic |
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| APTGT75X120BTP3 | ADPOW |
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Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75X120BTP3G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MO |
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| APTGT75X120E3 | ADPOW |
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3 Phase bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75X120E3 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| APTGT75X120E3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| APTGT75X120RTP3 | ADPOW |
获取价格 |
Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75X120RTP3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, M |
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| APTGT75X120TE3 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75X60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe |
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