Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT75X120TE3

APTGT75X120TE3

更新时间： 2024-11-05 04:49:39

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3页	236K
描述
3 Phase bridge Trench IGBT Power Module

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APTGT75X120TE3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X35
元件数量：	6	端子数量：	35
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	610 ns	标称接通时间 (ton)：	330 ns
Base Number Matches：	1

APTGT75X120TE3 数据手册

APTGT75X120TE3

V_CES= 1200V

I_C= 75A @ Tc = 80°C

3 Phase bridge

Trench IGBT^®Power Module

Application

•

Features

•

AC Motor control

Trench + Field Stop IGBT^®Technology

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

Low leakage current

Avalanche energy rated

RBSOA and SCSOA rated

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

High level of integration

Internal thermistor for temperature monitoring

16 15

Benefits

•

Stable temperature behavior

Very rugged

Solderable terminals for easy PCB mounting

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive TC of VCEsat

Low profile

11 12

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

1200

100

175

±20

350

T_C= 25°C

T_C= 80°C

T_C= 25°C

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

T_C= 25°C

T_j= 125°C

RBSOA Reverse Bias Operating Area

150A@1100V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

1 - 3

APT website – http://www.advancedpower.com

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT75X60T3G	MICROSEMI	获取价格	3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe
APTGT75X60T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon
APTGTQ100A65T1G-Module	MICROCHIP	获取价格	High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ100DA65T1G-Module	MICROCHIP	获取价格	High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ100DDA65T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ100H65T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ100SK65T1G-Module	MICROCHIP	获取价格	High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ150TA65TPG-Module	MICROCHIP	获取价格	High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ200A65T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ200DA65T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea

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