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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 60 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-XUFM-X35 |
| 元件数量： | 5 | 端子数量： | 35 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 610 ns | 标称接通时间 (ton)： | 330 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT75X120BTP3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MO |
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| APTGT75X120E3 | ADPOW |
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3 Phase bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75X120E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| APTGT75X120E3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| APTGT75X120RTP3 | ADPOW |
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Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75X120RTP3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, M |
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| APTGT75X120TE3 | ADPOW |
获取价格 |
3 Phase bridge Trench IGBT Power Module |
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| APTGT75X60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe |
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| APTGT75X60T3G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon |
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| APTGTQ100A65T1G-Module | MICROCHIP |
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High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea |
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