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APTGT75X120E3G PDF预览

APTGT75X120E3G

更新时间： 2024-11-05 14:47:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 225K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33

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APTGT75X120E3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X33针数：33
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.04
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X33JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：6
端子数量：33最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：330 nsBase Number Matches：1

APTGT75X120E3G 数据手册

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APTGT75X120E3  
VCES = 1200V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
3 Phase bridge  
Trench IGBT® Power Module  
Application  
•
Features  
•
AC Motor control  
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
19  
17  
15  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
20  
21  
14  
13  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11 12  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
100  
75  
175  
±20  
350  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Operating Area  
150A@1100V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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与APTGT75X120E3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75X120RTP3 ADPOW

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 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120RTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, M
APTGT75X120TE3 ADPOW

获取价格

 		3 Phase bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X60T3G MICROSEMI

获取价格

 		3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe
APTGT75X60T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon
APTGTQ100A65T1G-Module MICROCHIP

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 		High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
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