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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT75X120E3
APTGT75X120E3 PDF预览

APTGT75X120E3

更新时间： 2024-11-05 06:37:31
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 229K
描述
3 Phase bridge Trench IGBT Power Module

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APTGT75X120E3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X33
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X33
元件数量：6端子数量：33
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：610 ns标称接通时间 (ton)：330 ns
Base Number Matches：1

APTGT75X120E3 数据手册

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APTGT75X120E3  
VCES = 1200V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
3 Phase bridge  
Trench IGBT® Power Module  
Application  
•
Features  
•
AC Motor control  
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
19  
17  
15  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
20  
21  
14  
13  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11 12  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
100  
75  
175  
±20  
350  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Operating Area  
150A@1100V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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与APTGT75X120E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75X120E3G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33
APTGT75X120RTP3 ADPOW

获取价格

 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120RTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, M
APTGT75X120TE3 ADPOW

获取价格

 		3 Phase bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X60T3G MICROSEMI

获取价格

 		3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe
APTGT75X60T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon
APTGTQ100A65T1G-Module MICROCHIP

获取价格

 		High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ100DA65T1G-Module MICROCHIP

获取价格

 		High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ100DDA65T3G-Module MICROCHIP

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 		High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea
APTGTQ100H65T3G-Module MICROCHIP

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 		High speed IGBT 5 Low voltage dropLow tail currentSwitching frequency up to 100 kHzLow lea

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