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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT75TDU60P
APTGT75TDU60P PDF预览

APTGT75TDU60P

更新时间： 2024-11-05 03:28:23
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 283K
描述
Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT75TDU60P 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：3 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X21元件数量：6
端子数量：21封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：310 ns
标称接通时间 (ton)：170 nsBase Number Matches：1

APTGT75TDU60P 数据手册

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APTGT75TDU60P  
Triple Dual Common Source  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
C1  
C3  
C5  
Application  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
G1  
G3  
G5  
E1  
E2  
E3  
E4  
E5  
E6  
Features  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G6  
G2  
G4  
C2  
C4  
C6  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
C 1  
C 3  
C 5  
Very rugged  
G1  
G3  
E3  
G5  
E5  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Very low (12mm) profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a dual  
common source configuration of three times the  
current capability  
E1  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
E2  
E4  
G4  
E6  
G6  
G2  
C 2  
C 4  
C 6  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
TC = 25°C  
100  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
75  
140  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
±20  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
Maximum Power Dissipation  
250  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
150A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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与APTGT75TDU60P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75TDU60PG MICROSEMI

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 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75
APTGT75TL60T3G MICROSEMI

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 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TL60T3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silic
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