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APTGT75TDU120PG PDF预览

APTGT75TDU120PG

更新时间： 2024-11-05 03:28:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 259K
描述
Triple Dual Common Source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT75TDU120PG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：21Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：3 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X21JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：6
端子数量：21最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：335 nsBase Number Matches：1

APTGT75TDU120PG 数据手册

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APTGT75TDU120PG  
Triple Dual Common Source  
Fast Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
C1  
C3  
C5  
G1  
G3  
G5  
Features  
E1  
E2  
E3  
E4  
E5  
E6  
•
Fast Trench + Field Stop IGBT® Technology  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G6  
G2  
G4  
C2  
C4  
C6  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
Benefits  
C 1  
C 3  
C 5  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
G1  
G3  
E3  
G5  
E5  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Very low (12mm) profile  
E1  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
E2  
E4  
G4  
E6  
G6  
G2  
C 2  
C 4  
C 6  
Each leg can be easily paralleled to achieve a dual  
common source configuration of three times the  
current capability  
•
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
100  
75  
175  
±20  
350  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 125°C  
150A@1150V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT75TDU120PG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75TDU120PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 7
APTGT75TDU60P ADPOW

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG MICROSEMI

获取价格

 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75
APTGT75TL60T3G MICROSEMI

获取价格

 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TL60T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silic
APTGT75X120BTP3 ADPOW

获取价格

 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120BTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MO
APTGT75X120E3 ADPOW

获取价格

 		3 Phase bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120E3 MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33

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