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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT75TDU120P
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APTGT75TDU120P

更新时间： 2024-11-05 03:28:23
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 290K
描述
Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module

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APTGT75TDU120P 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：3 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X21
元件数量：6端子数量：21
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：610 ns标称接通时间 (ton)：335 ns
Base Number Matches：1

APTGT75TDU120P 数据手册

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APTGT75TDU120P  
Triple Dual Common Source  
Trench IGBT® Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 75A @ Tc = 80°C  
Application  
C1  
C3  
C5  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
G1  
G3  
G5  
E1  
E2  
E3  
E4  
E5  
E6  
Features  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G6  
G2  
G4  
C2  
C4  
C6  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
C 1  
C 3  
C 5  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
G1  
G3  
E3  
G5  
E5  
Very rugged  
E1  
E1/E2  
E3/E4  
E5/E6  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Very low (12mm) profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a dual  
common source configuration of three times the  
current capability  
E2  
E4  
G4  
E6  
G6  
G2  
C 2  
C 4  
C 6  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
100  
75  
175  
±20  
350  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Operating Area  
Tj = 125°C  
150A@1150V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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与APTGT75TDU120P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT75TDU120PG MICROSEMI

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