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APTGT75TA60P

更新时间： 2024-11-24 04:49:39

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ADPOW		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	283K
描述
Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT75TA60P 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	70 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X21	元件数量：	6
端子数量：	21	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	930 ns
标称接通时间 (ton)：	310 ns	Base Number Matches：	1

APTGT75TA60P 数据手册

APTGT75TA60P

Triple phase leg

Trench + Field Stop IGBT^®

Power Module

V_CES= 600V

I_C= 75A @ Tc = 80°C

VBUS1

VBUS2

VBUS3

Application

•

Welding converters

Switched Mode Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies

Motor control

Features

•

Trench + Field Stop IGBT^®Technology

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

0/VBUS1

0/VBUS2

0/VBUS3

Low leakage current

Avalanche energy rated

RBSOA and SCSOA rated

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

Symmetrical design

Lead frames for power connections

•

High level of integration

Benefits

•

Stable temperature behavior

Very rugged

VBUS 1

VBUS 2

VBUS 3

Solderable terminals for easy PCB mounting

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive TC of VCEsat

Very low (12mm) profile

Each leg can be easily paralleled to achieve a phase

leg of three times the current capability

Module can be configured as a three phase bridge

Module can be configured as a boost followed by a

full bridge

0/VBUS 1

0/VBUS 2

0/VBUS 3

•

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

600

T_C= 25°C

100

I_C

Continuous Collector Current

T_C= 80°C

T_C= 25°C

140

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

±20

T_C= 25°C

T_J= 150°C

Maximum Power Dissipation

250

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

150A @ 550V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

1 - 5

APT website – http://www.advancedpower.com

12 3 4 5

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与APTGT75TA60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT75TA60PG	MICROSEMI	获取价格	Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU120P	ADPOW	获取价格	Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module
APTGT75TDU120PG	MICROSEMI	获取价格	Triple Dual Common Source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU120PG-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 7
APTGT75TDU60P	ADPOW	获取价格	Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG	MICROSEMI	获取价格	Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TDU60PG-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75
APTGT75TL60T3G	MICROSEMI	获取价格	Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TL60T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silic
APTGT75X120BTP3	ADPOW	获取价格	Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module

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