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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 48 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 95 ns | 最大开启时间（吨）： | 65 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP50N10-21P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SUP50N10-21P_17 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SUP50N10-21P-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SUP52N20-39P | VISHAY |
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TRANSISTOR 52 A, 200 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| SUP52N20-39P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SUP53P06-20 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SUP57N20-33 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUP57N20-33_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SUP57N20-33-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
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