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STW60N65M5

更新时间： 2024-02-25 18:56:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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16页	975K
描述
N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET

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STW60N65M5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	1400 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A
最大漏极电流 (ID)：	46 A	最大漏源导通电阻：	0.059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	184 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW60N65M5 数据手册

STW60N65M5

STFW60N65M5

N-channel 650 V, 0.049 Ω, 46 A MDmesh™ V Power MOSFET

in TO-247, TO-3PF

Features

V_DSS

T_Jmax

R_DS(on)

max

Order codes

I_D

STFW60N65M5

STW60N65M5

710 V

< 0.059 Ω

46 A

■ Worldwide best R

* area amongst the

DS(on)

silicon based devices

TO-247

TO-3PF

■ Higher V rating

DSS

■ High dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ Easy to drive

■ 100% avalanche tested

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

Switching applications

$ꢅꢆꢇ

Description

The devices are N-channel MDmesh™ V Power

MOSFET based on an innovative proprietary

vertical process technology, which is combined

with STMicroelectronics’ well-known

'ꢅꢁꢇ

PowerMESH™ horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low on-

3ꢅꢈꢇ

resistance, which is unmatched among silicon-

based Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

TO-3PF

TO-247

Packaging

STFW60N65M5

STW60N65M5

60N65M5

Tube

May 2011

Doc ID 18222 Rev 2

1/16

www.st.com

12 3 4 5 6 7...16

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