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STW60N65M5

更新时间： 2024-01-21 02:04:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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16页	975K
描述
N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET

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STW60N65M5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	1400 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A
最大漏极电流 (ID)：	46 A	最大漏源导通电阻：	0.059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	184 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW60N65M5 数据手册

Electrical characteristics

STFW60N65M5, STW60N65M5

Electrical characteristics

(T = 25 °C unless otherwise specified)

Table 4.

Symbol

On /off states

Parameter

Test conditions

I_D= 1 mA, V_GS= 0

_DS= Max rating

Min.

Typ.

Max. Unit

Drain-source

breakdown voltage

V_(BR)DSS

650

Zero gate voltage

µA

I_DSS

drain current (V_GS= 0) V_DS= Max rating, T_C=125 °C

100

Gate-body leakage

I_GSS

V_GS

25 V

100

current (V_DS= 0)

V_GS(th)

R_DS(on)

Gate threshold voltage V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

Static drain-source on

V_GS= 10 V, I_D= 23 A

0.049 0.059

resistance

Table 5.

Symbol

Dynamic

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max. Unit

Input capacitance

C_iss

C_oss

C_rss

6810

141

6.2

V_DS= 100 V, f = 1 MHz,

V_GS= 0

Output capacitance

Reverse transfer

capacitance

Equivalent

capacitance time

(1)

C_o(tr)

480

V_DS= 0 to 520 V, V_GS= 0

f = 1 MHz open drain

Equivalent

capacitance energy

(2)

C_o(er)

140

Intrinsic gate

resistance

R_G

Q_g

Q_gs

Q_gd

Total gate charge

Gate-source charge

Gate-drain charge

V_DD= 520 V, I_D= 23 A,

V_GS= 10 V

139

(see Figure 17)

1. C_o(tr)is a constant capacitance value that gives the same charging time as C_osswhile V_DSis rising from 0

to 80% V_DSS.

2. C_o(er)is a constant capacitance value that gives the same stored energy as C_osswhile V_DSis rising from 0

to 80% V_DSS.

4/16

Doc ID 18222 Rev 2

1 2 345 6 7...16

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STW60N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW55NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	51A, 600V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
STW56NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.05 Î©, 45 A TO-247 MDmeshâ

与STW60N65M5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STW60NE10	STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET	获取价格
STW62N65M5	STMICROELECTRONICS	Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packa	获取价格
STW63N65DM2	STMICROELECTRONICS	N沟道650 V、0.042 Ohm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET	获取价格
STW65N023M9-4	STMICROELECTRONICS	N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package	获取价格
STW65N045M9-4	STMICROELECTRONICS	N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package	获取价格
STW65N60DM6	STMICROELECTRONICS	N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，T	获取价格

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