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STW60N65M5

更新时间： 2024-01-11 19:52:31

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
16页	975K
描述
N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET

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STW60N65M5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	1400 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A
最大漏极电流 (ID)：	46 A	最大漏源导通电阻：	0.059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	184 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW60N65M5 数据手册

Electrical characteristics

STFW60N65M5, STW60N65M5

2.1

Electrical characteristics (curves)

Figure 2.

Safe operating area for TO-3FP

Figure 3.

Thermal impedance for TO-3FP

AM09126v1

TO3PF

(A)

Tj=150°C

δ=0.5

0.2

0.1

Tc=25°C

Single pulse

100

10µs

10^-1

100µs

0.05

0.02

1ms

10ms

0.01

Single pulse

10^-2

10^-5

0.1

10^-2

10^-4

10^-1

10^-3

DS(V)

_p(s)

0.1

100

Figure 4.

Safe operating area for TO-247

Figure 5.

Thermal impedance for TO-247

AM09127v1

(A)

Tj=150°C

Tc=25°C

Single pulse

100

10µs

100µs

1ms

10ms

0.1

DS(V)

0.1

100

Figure 6.

Output characteristics

Figure 7.

Transfer characteristics

AM09128v1

AM09129v1

(A)

VGS=10V

140

7.5V

140

VDS=20V

120

100

6.5V

5.5V

10 12 14 16 18

DS(V)

VGS(V)

6/16

Doc ID 18222 Rev 2

1...3 4 567 8 9...16

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STW60N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW55NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	51A, 600V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
STW56NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.05 Î©, 45 A TO-247 MDmeshâ

与STW60N65M5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STW60NE10	STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET	获取价格
STW62N65M5	STMICROELECTRONICS	Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packa	获取价格
STW63N65DM2	STMICROELECTRONICS	N沟道650 V、0.042 Ohm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET	获取价格
STW65N023M9-4	STMICROELECTRONICS	N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package	获取价格
STW65N045M9-4	STMICROELECTRONICS	N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package	获取价格
STW65N60DM6	STMICROELECTRONICS	N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，T	获取价格