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STW60N65M5

更新时间： 2024-01-15 17:42:16

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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16页	975K
描述
N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET

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STW60N65M5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	1400 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A
最大漏极电流 (ID)：	46 A	最大漏源导通电阻：	0.059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	184 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW60N65M5 数据手册

STFW60N65M5, STW60N65M5

Electrical characteristics

Figure 8.

Gate charge vs gate-source voltage Figure 9.

Static drain-source on resistance

AM09130v1

AM09131v1

(V)

DS(on)

(Ω)

VDS

DD=520V

GS=10V

0.057

ID=23A

500

400

300

200

0.055

0.053

0.051

0.049

0.047

0.045

0.043

100

Qg(nC)

ID(A)

150

Figure 10. Capacitance variations

Figure 11. Output capacitance stored energy

AM09132v1

AM09133v1

Eoss

(pF)

(µJ)

10000

1000

Ciss

Coss

Crss

100

0.1

100

200

400 500

600

DS(V)

100

300

VDS(V)

Figure 12. Normalized gate threshold voltage Figure 13. Normalized on resistance vs

vs temperature temperature

AM09134v1

AM09135v1

GS(th)

(norm)

DS(on)

(norm)

ID=250µA

2.1

1.9

1.10

1.00

ID=23A

1.7

1.5

0.90

0.80

0.70

1.3

1.1

0.9

0.7

0.5

-50

-25

-50

-25

25 50 75

J(°C)

25 50 75

TJ(°C)

100 125

Doc ID 18222 Rev 2

7/16

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STW60N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW55NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	51A, 600V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
STW56NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.05 Î©, 45 A TO-247 MDmeshâ

与STW60N65M5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STW60NE10	STMICROELECTRONICS	N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET	获取价格
STW62N65M5	STMICROELECTRONICS	Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packa	获取价格
STW63N65DM2	STMICROELECTRONICS	N沟道650 V、0.042 Ohm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET	获取价格
STW65N023M9-4	STMICROELECTRONICS	N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package	获取价格
STW65N045M9-4	STMICROELECTRONICS	N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package	获取价格
STW65N60DM6	STMICROELECTRONICS	N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，T	获取价格