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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW6N95K5
STW6N95K5 PDF预览

STW6N95K5

更新时间： 2024-11-28 12:02:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
23页 1227K
描述
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 and IPAK

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STW6N95K5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.69
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：950 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：1.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：90 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW6N95K5 数据手册

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STD6N95K5, STF6N95K5,  
STP6N95K5, STW6N95K5, STU6N95K5  
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protected SuperMESH™ 5  
Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 and IPAK  
Datasheet — production data  
Features  
TAB  
Type  
VDSS RDS(on)max.  
ID  
PW  
3
1
STD6N95K5  
STF6N95K5  
9 A  
9 A  
90 W  
25 W  
3
DPAK  
2
1
TO-220FP  
STP6N95K5 950 V  
STW6N95K5  
< 1.25 Ω  
TAB  
9 A  
90 W  
TAB  
STU6N95K5  
3
■ DPAK 950 V worldwide best RDS(on)  
■ Worldwide best FOM (figure of merit)  
■ Ultra low gate charge  
3
2
3
2
1
2
1
1
IPAK  
TO-247  
TO-220  
■ 100% avalanche tested  
■ Zener-protected  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Applications  
D(2,TAB)  
■ Switching applications  
Description  
G(1)  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using SuperMESH™ 5 technology.  
This revolutionary, avalanche-rugged, high  
voltage Power MOSFET technology is based on  
an innovative proprietary vertical structure. The  
result is a drastic reduction in on-resistance and  
ultra low gate charge for applications which  
require superior power density and high  
efficiency.  
S(3)  
AM01476v1  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STD6N95K5  
STF6N95K5  
STP6N95K5  
STW6N95K5  
STU6N95K5  
DPAK  
TO-220FP  
TO-220  
TO-247  
IPAK  
Tape and reel  
6N95K5  
Tube  
August 2012  
Doc ID 16958 Rev 3  
1/23  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
23  
 
1234567...23

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STW6N95K5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STW20N95K5 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 950 V, 0.275 Ω, 17.5 A SuperMESH 5
STW19NM50N STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247
STW6N120K3 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 1200 V, 1.95 Ohm typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247

与STW6N95K5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW6NA80 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STW6NA90 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STW6NB100 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 1000V - 2.3ohm - 5.4A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW6NB90 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW6NC90 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-P
STW6NC90Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-P
STW6NK70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 700V - 1.5Ω - 5A - TO-220/TO-220FP
STW70N10F4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET™
STW70N60DM2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET，T
STW70N60DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，T

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