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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 栅极 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
16页 | 505K | |
描述 | ||
N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-247 | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
雪崩能效等级(Eas): | 205 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 75 A |
最大漏极电流 (ID): | 75 A | 最大漏源导通电阻: | 0.034 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 190 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 300 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP75N20 | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-22 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STW75N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh DM6功率MOSFET,T | |
STW75N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh M6功率MOSFET,TO | |
STW75N60M6-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh M6功率MOSFET,TO | |
STW75N65DM6-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、33 mOhm典型值、75 A MDmesh DM6功率MOSFET,T | |
STW75NF20 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 200V - 0.028ヘ - 75A - D2PAK - TO-22 | |
STW75NF30 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 300 V, 0.037 Ω, 60 A, TO-247 low g | |
STW77N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.033 ohm, 69 A, MDmesh V Power MOSFET TO-247 | |
STW78N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道650 V、0.024 Ohm典型值、69 A MDmesh M5功率MOSF | |
STW7N105K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道1050 V、1.4 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET,TO | |
STW7N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.72 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET,TO |