STW7NA90FI

更新时间： 2024-02-07 17:29:28

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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N - CHANNEL 900V - 1.05ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET

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STW7NA90FI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

STW7NA90FI 数据手册

STW7NA90

STH7NA90FI

N - CHANNEL 900V - 1.05Ω - 7A - TO-247/ISOWATT218

FAST POWER MOSFET

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STW7NA90

STH7NA90FI

900 V

< 1.3 Ω

7 A

4.7 A

1.3 Ω

■

TYPICAL R_DS(on)= 1.05 Ω

± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

LOW INTRINSIC CAPACITANCE

GATE CHARGE MINIMIZED

REDUCED VOLTAGE SPREAD

APPLICATIONS

TO-247

ISOWATT218

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING

DC-AC CONVERTER FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE

POWER SUPPLY (UPS)

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

STH7NA90FI

Unit

STW7NA90

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 k

Gate-source Voltage

900

)

Ω

± 30

Drain Current (continuous) at T_c= 25 C

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

4.7

I_D

I_DM(• )

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

190

1.52

−−−−−−

W/^oC

Derating Factor

0.56

4000

V_ISO

T_stg

T_j

Insulation Withstand Voltage (DC)

Storage Temperature

-65 to 150

150

^oC

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/9

October 1998

12 3 4 5 6 7...9

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