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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW80NF55-08
STW80NF55-08 PDF预览

STW80NF55-08

更新时间： 2024-09-23 22:18:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页 280K
描述
N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET

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STW80NF55-08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW80NF55-08 数据手册

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STW80NF55-08  
N-CHANNEL 55V - 0.0065Ω - 80A TO-247  
STripFET™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW80NF55-08  
55 V  
< 0.008 Ω  
80 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0065Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW THRESHOLD DRIVE  
3
2
1
DESCRIPTION  
TO-247  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor shows  
extremely high packing density for low on-resis-  
tance, rugged avalanche characteristics and less  
critical alignment steps therefore a remarkable  
manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
DC-AC & DC-DC CONVERTERS  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
55  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
55  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±20  
V
I (*)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
80  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
80  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
320  
300  
2
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
mJ  
°C  
°C  
E
(1)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
870  
–65 to 175  
175  
AS  
T
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) Starting T = 25°C, I = 40A, V = 40V  
j
D
DD  
(*) Current Limited by wire bonding  
September 2002  
1/8  
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STW80NF55-08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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